[发明专利]绝缘环、预清洗腔室及半导体加工设备

摘要

本发明提供的绝缘环、预清洗腔室及半导体加工设备，其应用在预清洗腔室中，在该预清洗腔室内设置有基座，该基座包括用于承载晶片下表面的中心区域的第一承载面。绝缘环设置在基座上，且环绕在第一承载面的边缘处。绝缘环包括环形本体，该环形本体具有第二承载面和环形凸台，其中，第二承载面与晶片下表面的边缘区域相对设置。环形凸台环绕在第二承载面边缘处，且环形凸台的上表面高于晶片的上表面。本发明提供的绝缘环，其可以降低晶片边缘区域的刻蚀速率，从而可以减小晶片边缘区域的刻蚀速率与晶片中心区域的刻蚀速率之间的差异，进而可以提高刻蚀均匀性。

主权项

一种绝缘环，应用在预清洗腔室中，在所述预清洗腔室内设置有基座，所述基座包括用于承载晶片下表面的中心区域的第一承载面；所述绝缘环设置在所述基座上，且环绕在所述第一承载面的边缘处，其特征在于，所述绝缘环包括环形本体，所述环形本体具有第二承载面和环形凸台，其中，所述第二承载面与所述晶片下表面的边缘区域相对设置；所述环形凸台环绕在所述第二承载面边缘处，且所述环形凸台的上表面高于所述晶片的上表面。