[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610231158.9 | 申请日： | 2010-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105702631B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;小山润;加藤清 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792;G11C11/402;G11C11/405 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 金红莲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件，包括源极线、位线、第一信号线、第二信号线、字线、并联连接在该源极线和位线之间的存储单元、电连接至该源极线和位线的第一驱动器电路、电连接至第一信号线的第二驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、以及电连接至字线的第四驱动器电路。该存储单元包括包含第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管，包含第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管、以及电容器。第二晶体管包括氧化物半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一晶体管；包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二晶体管；以及包括一对电极的电容器，其中，所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个、以及所述电容器的一个电极彼此电连接，其中，所述电容器的另一个电极电连接至第一驱动器电路，其中，所述第二栅电极电连接至第二驱动器电路，其中，所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一个电连接至第三驱动器电路，其中，所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个电连接至第四驱动器电路，其中，所述第二晶体管包括氧化物半导体层，且其中，所述第一晶体管的沟道形成区包括硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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