[发明专利]SRAM存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201610231201.1 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN107302000B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L29/08;H01L21/8244 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种SRAM存储器及其形成方法，其中SRAM存储器包括：基底；传输晶体管，所述传输晶体管包括：传输栅极结构，位于基底上；第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。所述SRAM存储器使读写速度同时提高。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储器，其特征在于，包括：基底；传输晶体管，所述传输晶体管包括：传输栅极结构，位于基底上；第一传输源漏区和第二传输源漏区，分别位于所述传输栅极结构两侧的基底中，部分第一传输源漏区和部分第二传输源漏区被传输栅极结构遮盖，所述传输栅极结构遮盖的第一传输源漏区为第一遮盖区，所述传输栅极结构遮盖的第二传输源漏区为第二遮盖区，在垂直于传输栅极结构侧壁的方向上，所述第二遮盖区的尺寸大于第一遮盖区的尺寸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610231201.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：鳍式场效应晶体管
- 下一篇：一种单管单电容存储单元装置及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
