[发明专利]一种碳化硅陶瓷的腐蚀方法在审
| 申请号： | 201610231407.4 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN105837259A | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄政仁;刘泽华;闫永杰;张辉;姚秀敏;刘学建;蔡平;赵静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B41/91 | 分类号： | C04B41/91;C04B35/565 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅陶瓷的腐蚀方法，包括：在反应容器中先加入浓氢氟酸，再缓慢加入浓硝酸，搅拌均匀后密封静置10‑30分钟，得腐蚀液；将碳化硅试样浸没在所得腐蚀溶液中，在150‑200℃下腐蚀12‑24小时。本方法在低温下对固相烧结碳化硅陶瓷腐蚀，使经过腐蚀后晶粒衬度明显，晶界清洗，同时避免了高温腐蚀引入的热缺陷，高能刻蚀引入的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 陶瓷 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅陶瓷的腐蚀方法，其特征在于，包括：在反应容器中先加入浓氢氟酸，再缓慢加入浓硝酸，搅拌均匀后密封静置10‑30分钟，得腐蚀液；将碳化硅试样浸没在所得腐蚀溶液中，在150‑200℃下腐蚀12‑24小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610231407.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
