[发明专利]一种晶体硅\非晶硅双节太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅\非晶硅双节太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池从上而下依次为：电池的正极1、减反射膜2、透明导电前电极3、非晶硅P层4、非晶硅本征层5、微晶硅N层6、微晶硅P层7、非晶硅I层8、N型硅衬底9、非晶硅I层10、非晶硅N层11、透明导电背电极12、电池的负极13。本发明充分利用太阳的光谱，制备出了高效的太阳电池。

主权项

一种晶体硅\非晶硅双节太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池从上而下依次为：电池的正极、减反射膜、透明导电前电极、非晶硅P层、本征非晶硅层、微晶硅N层、微晶硅P层、非晶硅I层、N型硅衬底、非晶硅I层、非晶硅N层、透明导电背电极、电池的负极，其中所述减反射膜包括底层二氧化硅层、中间层氮化硅层和表层二氧化硅层，所述透明导电前电极包括依次层叠的第一石墨烯层、金属网格薄膜层以及第二石墨烯层，所述透明导电背电极包括依次层叠的第三石墨烯层以及纳米金属层。