[发明专利]元件、曝光装置、及制造方法有效

专利信息
申请号: 201610235948.4 申请日: 2016-04-15
公开(公告)号: CN106098516B 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 山田章夫;菅谷慎二;黑川正树;泷泽昌弘;岩下龙马 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01J37/04 分类号: H01J37/04;H01J37/147;H01J37/317
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实现一种多射束形成元件,其利用互补光刻法,能稳定地加工微细的线图案。本发明提供一种元件及应用这种元件的曝光装置,该元件是使射束成形并偏向的元件,具备:孔径层,具有使从元件的第1面侧入射的射束成形并通过的第1开孔;及偏向层,使通过孔径层的射束通过并偏向;且偏向层具有:第1电极部,具有与对应于第1开孔的偏向层内的射束通过空间相对的第1电极;及第2电极部,具有在偏向层内独立于相邻层并朝向射束通过空间延伸的延伸部、及在端部隔着射束通过空间而与第1电极对向的第2电极。
搜索关键词: 元件 曝光 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种用于使射束成形并偏向的元件,其特征在于,所述元件具备:孔径层,其具有使从所述元件的第1面侧入射的射束成形并通过的第1开孔;及偏向层,其使通过所述孔径层的射束通过并偏向;且所述偏向层具有:第1电极部,其具有与对应于所述第1开孔的所述偏向层内的射束通过空间相对的第1电极;及第2电极部,其具有在所述偏向层内独立于相邻层并朝向所述射束通过空间延伸的延伸部、及在端部隔着所述射束通过空间而与所述第1电极对向的第2电极,其中,所述元件还包括对位部,所述对位部用于使通过所述孔径层的第1开孔的电子束对准所述偏向层的开孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610235948.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top