[发明专利]一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构在审

专利信息
申请号: 201610236586.0 申请日: 2016-04-15
公开(公告)号: CN105762282A 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 孙鹏;陈鑫;张天宁;魏威;戴宁 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 200083 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构,首先在透明导电衬底沉积金属纳米颗粒层,再沉积一层金属纳米颗粒,然后分别沉积一层致密氧化物和一层钙钛矿层,最后沉积金属或复合电极层。本发明的优点在于薄膜厚度可控,工艺简单,用金属结构实现高光吸收、大面积的超薄钙钛矿光电转换器件,在低成本高效太阳电池领域有着广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 光吸收 超薄 钙钛矿 光电 转换 膜结构
【主权项】:
一种高光吸收的超薄钙钛矿光电转换膜结构,其结构为在自透明导电衬底上依次有金属纳米颗粒层、氧化物致密层、超薄钙钛矿膜层、电极层,其特征在于:所述的透明导电衬底为掺氟二氧化锡、掺铟二氧化锡、掺铝氧化锌导电玻璃或导电聚酰亚胺膜;所述的金属纳米颗粒层为粒径1‑200纳米的金、银、铜或铝的纳米颗粒层;所述的氧化物致密层为2‑50纳米厚的氧化钛、氧化锌或氧化锆氧化物致密层,或者为氧化钛、氧化锌两种氧化物组成的致密层;所述的超薄钙钛矿膜层为10‑100纳米厚的超薄CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3或CH3NH3SnI3薄膜层,或者为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3三种材料中的任意两种组成的薄膜层;所述的电极层为80‑200纳米厚的金、银、钛、铝或碳电极层,或者为与聚噻吩或富勒烯衍生物构成80‑200纳米厚的复合电极层。
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