[发明专利]光刻设备的微粒检测方法有效
| 申请号： | 201610236693.3 | 申请日： | 2016-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN107301959B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 叶逸舟;杨晓松;樊佩申;陈杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种光刻设备的微粒检测方法。本发明的光刻设备的微粒检测方法包括：提供晶圆；传递所述晶圆至所述光刻设备中，并通过光刻工艺在所述晶圆上形成微粒采集结构；对所述晶圆进行旋转冲洗，使得微粒聚集在所述微粒采集结构的边缘；刻蚀所述晶圆的部分厚度，在微粒处进行倾斜刻蚀，使得所述微粒下方产生锥状突起；检测所述晶圆。与现有技术相比，本发明在刻蚀后，形成了锥状突起，从而使得检测设备能够检测到，达到了发现光刻设备中粒径小于检测设备极限的微粒，防止了这些微粒对产品的影响，有利于提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 微粒 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻设备的微粒检测方法，包括：提供晶圆；传递所述晶圆至所述光刻设备中，并通过光刻工艺在所述晶圆上形成微粒采集结构；对所述晶圆进行旋转冲洗，使得微粒聚集在所述微粒采集结构的边缘，在所述晶圆上形成多个微粒采集结构包括：在所述晶圆上涂敷光阻；利用光刻工艺形成多个第一光阻条和多个第二光阻条，所述第一光阻条和第二光阻条相交形成多个光阻框，且所述第一光阻条和第二光阻条相互垂直，所述光阻框呈矩形；刻蚀所述晶圆的部分厚度，在微粒处进行倾斜刻蚀，使得所述微粒下方产生锥状突起；检测所述晶圆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610236693.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
