[发明专利]一种无铅钙钛矿薄膜、其制备方法及应用在审
申请号: | 201610238703.7 | 申请日: | 2016-04-18 |
公开(公告)号: | CN105679936A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 范建东;沈艳娇;刘冲;张星;李红亮;陈荣荣;麦耀华 | 申请(专利权)人: | 河北大学 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人: | 胡素梅;白海静 |
地址: | 071002 河北省保*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种无铅钙钛矿薄膜、其制备方法及应用。所述无铅钙钛矿薄膜的制备方法具体是:称取SnX2和CH3NH3X作为两个蒸发源,X为Cl、Br或I;将两个蒸发源及衬底放入共蒸发设备的腔室内,并对腔室抽真空;先对SnX2进行加热,使SnX2蒸发并沉积在衬底上;之后停止对SnX2进行加热,继而对CH3NH3X加热,使CH3NH3X蒸发并沉积在衬底上,完成SnX2和CH3NH3X交替蒸发的一个循环;接着完成SnX2和CH3NH3X交替蒸发的第二个循环;最后取出衬底进行退火处理。本发明通过有机无机交替共蒸发的方法来制备钙钛矿薄膜,不仅可获得优质薄膜,而且还可解决铅污染的问题,还能实现产业化发展。 | ||
搜索关键词: | 一种 无铅钙钛矿 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种无铅钙钛矿薄膜,其特征是,所述无铅钙钛矿薄膜的化学通式为CH3NH3SnX3;其中,X为Cl、Br或I。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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