[发明专利]半导体发光结构有效
| 申请号： | 201610240638.1 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN105742439B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李君圣;吴国祯;温伟值 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体发光结构，包括基板、第一掺杂态半导体层、发光层、第二掺杂态半导体层、第一导体及多个接面。发光层配置于第一掺杂态半导体层上，且第二掺杂态半导体层配置于发光层上。其中第一导体，配置于第一掺杂态半导体层上，并包含电极用以连接外部电源，以及彼此分离的多个接面由第一导体与第一掺杂态半导体层接触所形成；其中，多个接面之面积随着远离电极而增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光结构，其特征在于其包括：基板；第一掺杂态半导体层，配置于所述基板上；发光层，配置于所述第一掺杂态半导体层上；第二掺杂态半导体层，配置于所述发光层上；第一导体，配置于所述第一掺杂态半导体层上，并包含一电极用以连接外部电源，以及彼此分离的多个接面，由所述第一导体与所述第一掺杂态半导体层接触所形成；其中，所述多个接面之面积随着远离所述电极而增加。
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