[发明专利]一种QLED封装结构以及QLED的封装方法在审
| 申请号： | 201610242600.8 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105742431A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;杨一行;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种QLED封装结构以及QLED的封装方法。所述QLED封装结构包括QLED，所述QLED包括依次层叠设置的底电极、发光功能层和顶电极，所述顶电极上设置有由聚合物材料制成的封装层，所述聚合物材料包括PMMA、PVC中的至少一种，且所述封装层露出部分所述顶电极。所述QLED的封装方法，包括以下步骤：提供QLED并配置聚合物溶液，其中，所述QLED包括依次层叠设置的底电极、发光功能层和顶电极，所述聚合物溶液采用聚合物材料溶解在有机溶剂中形成，且聚合物材料包括PMMA、PVC中的至少一种；采用所述聚合物溶液在所述顶电极上制备封装层，且使得所述封装层露出部分所述顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 封装 结构 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种QLED封装结构，所述QLED封装结构包括QLED，所述QLED包括依次层叠设置的底电极、发光功能层和顶电极，其特征在于，所述顶电极上设置有由聚合物材料制成的封装层，所述聚合物材料包括PMMA、PVC中的至少一种，且所述封装层露出部分所述顶电极。
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