[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201610242862.4 申请日: 2016-04-19
公开(公告)号: CN105742411B 公开(公告)日: 2017-07-04
发明(设计)人: 魏青竹;陆俊宇;连维飞;吴晨阳;倪志春 申请(专利权)人: 中利腾晖光伏科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0224
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司11227 代理人: 常亮
地址: 215300 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池及其制作方法,包括提供一基底;在基底一表面形成第一保护层;在基底背离第一保护层的表面制作硼扩散层;去除第一保护层和硼硅玻璃后,在硼扩散层背离基底一侧形成第二保护层;在基底背离硼扩散层的表面制作磷扩散层;去除第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后,在磷扩散层背离基底一侧形成第一钝化层,以及,在硼扩散层背离基底一侧形成第二钝化层;在第一钝化层背离基底一侧形成正面电极并烧结后,得到太阳能电池。在基底的一表面制作硼扩散层,进而将硼扩散层作为太阳能电池的背电场,以在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域,提高了背电场的效果,提高了太阳能电池的性能。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 制作方法
【主权项】:
一种太阳能电池的制作方法,其特征在于,包括:提供一基底;在所述基底一表面形成第一保护层;在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层;去除所述第一保护层和硼硅玻璃后,在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二保护层;在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层;去除所述第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后,在所述磷扩散层背离所述基底一侧形成第一钝化层,以及,在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二钝化层;在所述第一钝化层背离所述基底一侧形成正面电极并烧结后,得到所述太阳能电池;其中,在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层为:在扩散炉管中对所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层,其中,扩散工艺参数为:所述扩散炉管中的温度范围为850℃~1000℃,包括端点值;扩散时长范围为45min~110min,包括端点值;对所述扩散炉管通入的氧气和氮气的流量比氧气流量:氮气流量的范围为1:20~1:5,包括端点值。
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