[发明专利]一种谐振式MEMS全量程倾角传感器在审
| 申请号： | 201610244277.8 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105737811A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 韦学勇;王曙东;翁寅生;任娟;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01C19/5733 | 分类号： | G01C19/5733 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种MEMS谐振式全量程倾角传感器，包括单晶硅基底，单晶硅基底上生长一层二氧化硅绝缘层，二氧化硅绝缘层上设有单晶硅结构层，单晶硅结构层的中心设有悬浮的多边形质量块，质量块通过至少三对微放大梁分别与双端固定谐振音叉的末端相连接，微放大梁、双端固定谐振音叉呈放射状均匀分布，双端固定谐振音叉的两侧设置有驱动端和检测端，双端固定谐振音叉与驱动端、检测端静电耦合，双端固定谐振音叉的顶端与电极相接，本发明利用微放大梁，有效增大器件的灵敏度，提高测量精度；采用均匀分布的双端固定谐振音叉，通过算法可以实现全量程的高精度测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 谐振 mems 量程 倾角 传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS谐振式全量程倾角传感器，包括单晶硅基底(1)，单晶硅基底(1)上生长一层二氧化硅绝缘层(2)，二氧化硅绝缘层(2)上设有单晶硅结构层(3)，其特征在于：单晶硅结构层(3)的中心悬浮有多边形的质量块(10)，质量块(10)通过至少三对微放大梁(11)分别与双端固定谐振音叉(12)的末端相连接，微放大梁(11)、双端固定谐振音叉(12)呈放射状均匀分布，双端固定谐振音叉(12)的两侧设置有驱动端(13)和检测端(14)，双端固定谐振音叉(12)与驱动端(13)、检测端(14)静电耦合，双端固定谐振音叉(12)的顶端与静电极(15)相接，双端固定谐振音叉(12)与质量块(10)相应的边垂直，微放大梁(11)与质量块(10)相应的边平行，三者处于同一个平面内，在应用时，该平面法向与重力方向垂直。
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