[发明专利]一种大尺寸高密度细晶粒ITO靶材的常压烧结制造方法

摘要

本发明公开了一种大尺寸高密度细晶粒ITO靶材的常压烧结制造方法，其包括以下步骤：1)将纯度大于99.99％的ITO粉体，依次经模压处理及冷等静压处理后，得到ITO素坯；2)将ITO素坯进行脱脂处理后，对ITO素坯进行抽真空并向素坯孔隙中填充氧气处理；3)步骤2)中经抽真空及充氧处理后的素坯在常压通氧气氛下进行常压烧结处理，即得所述的ITO靶材。本发明通过对ITO素坯进行抽真空、并向素坯的孔隙中充入氧气，使得在常压氧气氛烧结过程中，素坯孔隙中的氧以及炉膛中的氧共同抑制了ITO在烧结过程中的分解及挥发，从而以较短的烧结时间制备出大尺寸高密度细晶粒的ITO靶材，制得的ITO靶材的相对密度在99.5％以上，晶粒度为4～10μm。

主权项

1.一种大尺寸高密度细晶粒ITO靶材的常压烧结制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1)将纯度大于99.99％的ITO粉体，依次经模压处理及冷等静压处理后，得到ITO素坯；2)将ITO素坯进行脱脂处理后，对ITO素坯进行抽真空并向素坯孔隙中填充氧气处理；3)步骤2)中经抽真空及充氧处理后的素坯在常压通氧气氛下进行常压烧结处理，即得所述的ITO靶材；其中：步骤2)中所述的抽真空并向素坯孔隙中填充氧气处理的真空度为10‑4～10‑2Pa，充氧压力为10～100KPa，保压时间为10～60min；步骤3)中所述的常压烧结处理，其烧结温度为1550～1600℃，保温时间为20～40h，且氧气的纯度为99.99％以上，且含水量小于5ppm，氧流量为20～1000ml/min。