[发明专利]一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法在审
| 申请号： | 201610245235.6 | 申请日： | 2016-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN105696079A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;张云伟;靳丽婕;何丽娟;陈颖超 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;张希宇 |
| 地址： | 101111 北京市通*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法，配备一碳化硅单晶生长用单晶炉；该方法包括：步骤1）基于感应加热法设计加热线圈，该加热线圈由轴向排布的若干段线圈单元组合而成，每段线圈单元连接有独立控制装置；步骤2）通过控制每段线圈单元的加热参数，使发热筒各部分的发热量发生改变，从而精确控制单晶炉腔内温度场，始终保持晶体生长的前沿处于适合其生长的温区，最终得到碳化硅单晶。通过分段独立控制各位置温场，在坩埚运动过程中严格将高温区域控制在所需的生长点上，实现优质6英寸碳化硅单晶的生长，降低能耗浪费，而且无需对坩埚进行提拉和旋转，简化了单晶炉的机械结构，该温场控制方法不局限于碳化硅单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 精密 控制 英寸 碳化硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种精密控制6英寸碳化硅单晶生长温场的方法，其特征在于，为该方法配备一碳化硅单晶生长用单晶炉，该单晶炉包括用于加热坩埚的发热筒和感应加热发热筒的加热线圈；该方法包括如下步骤：步骤1）基于感应加热法设计所述加热线圈，该加热线圈由轴向排布的若干段线圈单元组合而成，每段线圈单元连接有独立控制装置；步骤2）通过控制每段线圈单元的加热参数，使发热筒各部分的发热量发生改变，从而精确控制单晶炉腔内温度场，始终保持晶体生长的前沿处于适合其生长的温区，最终得到碳化硅单晶。
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