[发明专利]一种适用于局部生长薄膜和涂层的装置及其应用有效
申请号: | 201610247430.2 | 申请日: | 2016-04-20 |
公开(公告)号: | CN105695951B | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 肖志凯 | 申请(专利权)人: | 肖志凯 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;C23C16/02 |
代理公司: | 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 | 代理人: | 金春华 |
地址: | 110000 辽宁省沈*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明创造涉及一种适用于局部生长薄膜和涂层的装置及其应用。采用本装置,激光源将光束直接照射到基体表面待生长薄膜和/或涂层的区域上,将待生长薄膜和/或涂层的区域的表面加热到设定温度;控制装置控制气体喷出装置的气体出口与待生长薄膜和/或涂层的区域的表面相对应;将气体反应物从气体储藏罐输出,经气体管线到达气体喷出装置,并从气体出口喷射到基体表面,气体反应物在加热的基体表面发生化学反应,生成的固体产物沉积于基体表面形成薄膜和/或涂层。本发明创造可以实现在基体的局部区域生长薄膜和涂层,大大节约了原料,保护了环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 适用于 局部 生长 薄膜 涂层 装置 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种适用于局部生长薄膜和涂层的装置,其特征在于:设有提供真空空间的真空容器(1);设有安装在真空容器(1)内,用于放置基体(4)的支架(2);设有安装在真空容器(1)内,用于向基体(4)表面局部生长薄膜或涂层的区域提供热源的激光源(3);设有安装在真空容器(1)内,用于向基体(4)表面局部生长薄膜或涂层的区域喷吹气体反应物的气体喷出装置;设有一个或者若干个用于传输气体反应物的气体管线(5),气体管线(5)一端与气体喷出装置连接,另一端伸出真空容器(1)与用于储藏气体反应物的气体储藏罐(6)连接;在气体管线(5)和气体储藏罐(6)之间设有流量阀(7);设有与真空容器(1)相连,内含碱性化合物用于中和反应后产生的酸性副产物或内含分子筛用于吸附有毒气体的过滤装置(8);过滤装置(8)与真空泵(9)连接;设有机械手Ⅰ(10),机械手Ⅰ(10)与激光源(3)和气体喷出装置连接,或者机械手Ⅰ(10)与支架(2)连接;设有控制装置(11),控制装置(11)控制流量阀(7);控制装置(11)通过机械手Ⅰ(10)控制激光源(3)和气体喷出装置相对于基体(4)移动,或者控制装置(11)通过机械手Ⅰ(10)控制支架(2)来控制基体(4)相对于激光源(3)和气体喷出装置移动;设有金属储藏罐(19),金属储藏罐(19)安装在气体储藏罐(6)和气体管线(5)之间,金属储藏罐(19外设有加热装置Ⅰ(20),在与金属储藏罐(19)相连的气体管线(5)外设有加热装置Ⅱ(21);设有准分子激光仪(22)和机械手Ⅱ(23),控制装置(11)通过机械手Ⅱ(23)控制准分子激光仪(22)相对于基体(4)移动;所述的气体喷出装置的外缘设有隔热层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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