[发明专利]一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法有效
申请号: | 201610248341.X | 申请日: | 2016-04-20 |
公开(公告)号: | CN105938757B | 公开(公告)日: | 2017-09-15 |
发明(设计)人: | 包小倩;高学绪;汤明辉;卢克超;孙璐 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法,属于稀土永磁材料制备领域。其特征是通过对高丰度稀土永磁材料进行晶界扩渗,扩渗源成份为(NdxPr100‑x)a(DyyTb100‑y)b(AlzCu100‑z)100‑a‑b(x=0‑100,y=0‑100,z=5‑30;a+b=60‑90,a>b≥5,重量分数)。具体工艺步骤是真空冶炼扩渗源合金,将扩渗源合金制成薄带或粉末并附着在高丰度稀土永磁体表面,随后在真空炉中,600‑900℃扩散处理1‑8小时,450‑550℃退火处理1‑5小时。本发明的优点是通过晶界扩渗少量复合中重稀土-铜铝合金,既可改善晶界相的分布提高去磁耦合作用,又可改善内禀性能,磁性能特别是矫顽力提升效果显著。 | ||
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【主权项】:
一种提高高丰度稀土永磁材料磁性能的制备方法,其特征是对高丰度稀土永磁材料晶界扩渗复合中稀土、重稀土-铜铝合金,扩渗源成分为(NdxPr100‑x)a(DyyTb100‑y)b(AlzCu100‑z)100‑a‑b,其中x、y、z、a、b的取值范围为:x=0‑100,y=0‑100,z=5‑30;a+b=60‑90,a>b≥5,重量分数;具体工艺步骤是:a.真空熔炼扩渗源合金并制成薄带或粉末;b.将扩渗源合金附着在高丰度稀土永磁体表面;c.进行真空扩渗处理;d.进行真空退火热处理;e.得到高性能高丰度稀土永磁体;其中,高丰度稀土永磁材料为高丰度稀土占稀土总量10-80%重量分数的钕铁硼永磁材料,高丰度稀土为La,Ce中的一种或两种。
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