[发明专利]具有嵌入式电路图案的封装基板其制造方法及半导体封装在审
| 申请号： | 201610249846.8 | 申请日： | 2016-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN106469687A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 金明燮;金宰颍;文起一 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L21/60;H01L23/48;H05K3/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有嵌入式电路图案的封装基板其制造方法及半导体封装。提供了一种制造封装基板的方法。该方法可包括在导电层中形成隔离沟，并且在所述导电层上形成第一介电层，以提供填充所述隔离沟的隔离壁部分。该方法可包括使所述导电层凹进，以在由所述隔离壁部分限定并分离的电路沟中形成电路图案。该方法可包括形成覆盖所述电路图案的第二介电层，并且对所述第一介电层和所述第二介电层进行构图，以暴露部分所述电路图案。所述电路图案的暴露的部分可充当连接器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 电路 图案 封装 制造 方法 半导体 | ||
【主权项】：
一种制造封装基板的方法，该方法包括以下步骤：在第一导电层中形成隔离沟；在所述第一导电层上形成第一介电层，以提供填充所述隔离沟的隔离壁部分；在所述第一介电层的与所述第一导电层相对的表面上形成第二导电层；使所述第一导电层凹进，以在由所述隔离壁部分限定并分离的电路沟中形成第一电路图案；以及对所述第二导电层进行构图，以形成第二电路图案。
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