[发明专利]一种具有变K介质侧边的VDMOS器件在审
| 申请号： | 201610251258.8 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN105789270A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 袁嵩;段宝兴;蔡海;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有变K介质侧边的VDMOS器件，该新型结构通过依次填充多种不同介电常数(K值)的介质构成的侧边层产生新的电场峰，调制了VDMOS高阻漂移区的电场分布，增强了横向电场调制效应，使漂移区可以进行更高浓度的掺杂。在同等击穿电压条件下这种结构使VDMOS具有更低的比导通电阻。利用这种新型结构可以在提高器件击穿电压的同时降低功率器件的导通电阻，是一种打破功率器件硅极限的新技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有变 介质 侧边 vdmos 器件 | ||
【主权项】：
一种具有变K介质侧边的VDMOS器件，包括源极(1)、隔离介质(2)、栅极(3)、源区(4)、基区(5)、漂移区(6)、衬底(8)和漏极(9)；所述源极(1)的外侧区域向衬底方向延伸，延伸的区域依次覆盖源区(4)、基区(5)以及部分漂移区，在所述延伸的区域与源区(4)、基区(5)以及漂移区(6)之间设置有L型结构的侧边层(7)，并通过该侧边层(7)将整个漂移区(6)与源极(1)延伸的区域隔离；其特征在于：所述L型结构的侧边层(7)整体由多种不同K值介质依次构成，以产生新的电场峰，调制高阻漂移区的电场分布；其中，侧边层的顶部区域的K值大于底部区域的K值，使得侧边层的底部区域满足击穿电压的需求、同时顶部区域满足比导通电阻的需求。
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