[发明专利]半导体器件的制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制备方法，先在一半导体衬底上通过交替沉积氧化层和氮化层而形成至少一层ONO叠层结构，然后对所述ONO叠层结构中的氧化层进行硅掺杂，而后刻蚀ONO叠层结构形成沟道通孔，由于所述硅掺杂改变了沟道通孔侧壁的氧化物和沟道通孔底部半导体衬底表面上的自然氧化物之间的刻蚀选择比，使得在之后湿法清洗沟道通孔底部的半导体衬底表面的自然氧化物过程中，沟道通孔侧壁暴露的氧化物不被腐蚀，由此保证了获得的沟道通孔的最终宽度及其侧壁表面的平整度，提高器件的性能和良率。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上通过交替沉积氧化层和氮化层而形成至少一层ONO叠层结构；对所述ONO叠层结构中的氧化层进行硅掺杂；对所述半导体衬底上的ONO叠层结构进行刻蚀，以形成沿半导体衬底横向分布且垂直于所述半导体衬底表面的多个沟道通孔；对所述沟道通孔底部进行湿法清洗，以完全暴露出所述沟道通孔底部的所述半导体衬底表面；以及在各个所述沟道通孔底部的半导体衬底表面上形成一定厚度的外延导电层。