[发明专利]提高离子注入系统中磁扫描离子束一致性的方法有效

专利信息
申请号: 201610257320.4 申请日: 2012-12-13
公开(公告)号: CN105869978B 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格 申请(专利权)人: 艾克塞利斯科技公司
主分类号: H01J37/244 分类号: H01J37/244;H01J37/304;H01J37/317
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 美国马萨诸*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及一种扫描系统,该扫描系统包括扫描元件、射束评测仪、分析系统及ZFE限制元件。扫描元件配置成扫描离子束扫描路径上的离子束。在离子束扫描路径上扫描离子束时,射束评测仪测量离子束的束电流;分析系统分析所测的束电流,从而检测ZFE情况。位于射束评测仪上游并经由反馈通路耦合至分析系统的ZFE限制元件配置成基于是否检测到ZFE情况而有选择地向经扫描离子束施加时变电场。选择性施加的电场引发经扫描射束中的变化,从而限制ZFE情况。
搜索关键词: 生产率 一致性 提高 离子 注入 系统 方法
【主权项】:
1.一种用于提高离子注入系统中磁扫描离子束的一致性的方法,该方法包括:用扫描元件以扫描频率扫描穿过扫描路径的笔形离子束,该离子束具有束电流或束密度;在所述扫描元件的上游设置聚焦转向元件,用于接收所述笔形离子束并将所述笔形离子束聚焦转向至扫描元件的扫描顶点;分析所扫描的离子束,以确定是否存在零场效应;以及如果确定存在零场效应,则选择性向所述离子束施加电场,以减轻所述零场效应情况。
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