[发明专利]高密度电容器结构及方法有效
| 申请号： | 201610258597.9 | 申请日： | 2016-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN106067461B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 李偉健;裴成文;王平川 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及高密度电容器结构及方法，具体提供的是基于半导体纳米柱的阵列的高密度电容器结构。该高密度电容器结构可以是多个电容器，其中各该半导体纳米柱充当该多个电容器其中一者的底电极，或者该高密度电容器结构可以是大面积金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，其中该半导体纳米柱充当后续所形成用于该MIM电容器的底电极的支撑结构。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 电容器 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成多个电容器的方法，其包含：在半导体衬底上形成多个半导体纳米柱，该多个半导体纳米柱取向为垂直于该半导体衬底的顶面；在该半导体衬底及该多个半导体纳米柱的曝露表面上方保形沉积介电材料层；在该介电材料层上方形成导电材料层，该导电材料层填充介于该多个半导体纳米柱之间的空间；以及平坦化该导电材料层，使得该导电材料层的顶面与该多个半导体纳米柱的顶面共平面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格罗方德半导体公司，未经格罗方德半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610258597.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
