[发明专利]二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610261890.0 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN105771949A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 罗立强;曾丽兰;崔守方;祝妍;李昱;丁亚萍;严晓霞;李丽 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | B01J21/06 | 分类号： | B01J21/06;B01J35/02 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，包括如下步骤：1）制备二氧化钛溶胶凝胶溶液；2）采用在所述步骤a中制备的二氧化钛溶胶凝胶溶液，在基底上通过浸渍提拉法或旋涂方法制得厚度为100~200 nm的二氧化钛光催化薄膜，放置备用；3）将在所述步骤b中制备的光催化薄膜进行煅烧活化，光催化薄膜经过煅烧后续处理固化后，自然冷却至室温即可得到二氧化钛纳米半导体光催化薄膜。本发明制备简单、条件温和、工艺参数简单、成本较低。本发明所制备出的光催化材料具有很高的光催化活性。这种高性能的光催化薄膜适用于室外建筑玻璃幕墙、灯具等区域，适应未来降低环境污染的发展趋势，具有非常可观的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 半导体 光催化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化钛纳米半导体光催化薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）制备二氧化钛溶胶凝胶溶液；2）采用在所述步骤a中制备的二氧化钛溶胶凝胶溶液，在基底上通过浸渍提拉法或旋涂方法制得厚度为100~200 nm的二氧化钛光催化薄膜，放置36～60 h备用；3）将在所述步骤b中制备的光催化薄膜进行煅烧活化，对光催化薄膜的煅烧温度为375～425 ℃，煅烧时间为4～6 h，光催化薄膜经过煅烧后续处理固化后，自然冷却至室温即可得到二氧化钛纳米半导体光催化薄膜。
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