[发明专利]离子注入异常的检测结构及其制备方法，以及检测方法有效
| 申请号： | 201610263659.5 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107316856B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 史江北 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的离子注入异常的检测结构及其制备方法，以及检测方法中，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括依次层叠的底层半导体层、埋氧层及顶层半导体层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；所述第一区域的顶层半导体层中具有多个离子注入区域，所述第二区域的底层半导体层中具有与所述多个离子注入区域一一对应的监测点，相互对应的所述离子注入区域和所述监测点采用同一步离子注入工艺形成。本发明中，确定形成的器件中是否存在离子注入沟道效应，并能准确确定是在进行哪一步的离子注入时发生的离子注入沟道效应，从而为后续改善工艺条件提供参考，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 异常 检测 结构 及其 制备 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入异常的检测结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括依次层叠的底层半导体层、埋氧层及顶层半导体层，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域；所述第一区域的顶层半导体层中具有多个离子注入区域，所述第二区域的底层半导体层中具有与所述多个离子注入区域一一对应的监测点，相互对应的所述离子注入区域和所述监测点采用同一步离子注入工艺形成。/n
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