[发明专利]一种具有光束扩散结构的高速半导体激光器

摘要

本发明公开了一种半导体激光器，包括光波导结构，所述光波导结构包括自下而上依次叠置的下波导层(2)、多量子阱有源层(3)和上波导层(5)，在所述多量子阱有源层(3)中的上部形成有光栅层(4)，所述上波导层(5)、包层6和接触层7形成为凸脊，该凸脊具有入光端面和出光端面，并在出光端面一侧具有光束扩散结构。所述光束扩散结构具有扩束部分，所述扩束部分具有从所述出光端面向内部逐渐收缩的形状。扩束部分的水平发散角优选为5°～20°。本发明能够很好的抑制光在水平方向的扩散，改善光束质量，使其与光纤实现更好的模式匹配，并能够增加激光器的输出功率，改善激光器的高频响应特性。

主权项

1.一种半导体激光器，所述半导体激光器为高速直调半导体激光器，所述高速直调半导体激光器包括光波导结构，所述光波导结构包括自下而上依次叠置的下波导层(2)、多量子阱有源层(3)和脊形波导的上波导层(5)，在所述多量子阱有源层(3)中的上部形成有光栅层(4)，其特征在于，所述上波导层(5)、包层(6)和接触层(7)形成为凸脊，该凸脊具有入光端面和出光端面，并在出光端面一侧具有光束扩散结构，所述光束扩散结构包括扩束部分，所述扩束部分具有从所述出光端面向内部逐渐收缩的形状，且所述扩束部分的水平发散角为5°～20°，所述扩束部分的长度为5～30μm。