[发明专利]背照式CMOS图像传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201610266685.3 | 申请日： | 2016-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN107316878B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张进创;管术俊;陈立峰;叶文源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种背照式CMOS图像传感器的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有前侧以及与所述前侧相对的背侧；对所述衬底的前侧进行离子注入，在所述衬底中形成一具有一定厚度的掺杂埋层，所述掺杂埋层具有一平均深度，所述离子注入的能量大于等于1000Kev；在所述衬底的前侧制备图像传感器结构；对所述衬底的背侧减薄至所述掺杂埋层；在所述衬底的背侧制备微透镜结构。本发明的背照式CMOS图像传感器的制备方法经济、简单，能够防止暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 图像传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式CMOS图像传感器的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有前侧以及与所述前侧相对的背侧；对所述衬底的前侧进行离子注入，在所述衬底中形成一具有一定厚度的掺杂埋层，所述掺杂埋层具有一平均深度，所述离子注入的能量大于等于1000Kev；在所述衬底的前侧制备图像传感器结构；对所述衬底的背侧减薄至所述掺杂埋层；以及在所述衬底的背侧制备微透镜结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
