[发明专利]使用去填充和再填充操作来实现集成电路设计有效

专利信息
申请号: 201610271800.6 申请日: 2016-04-28
公开(公告)号: CN106096070B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: K·A·博兹曼;D·I·密尔顿;N·辛纳杜莱 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: G06F30/392 分类号: G06F30/392;G06F30/398;G06F111/04
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 徐东升;赵蓉民
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在寄存器重新定时操作的预期中,电路设计计算设备在电路设计中可以执行去填充操作、约束生成以及再填充操作。在放置前和/或布线操作前的去填充操作可以防止各自的放置和/或布线操作来放置和/或布线来自电路设计的寄存器。约束生成可以对放置和/或布线操作产生约束,其允许寄存器在布线操作后的再次插入。再填充操作可以在布线操作后根据约束在电路设计中再次插入寄存器。如果需要,电路设计计算设备可以执行寄存器重新定时操作,以进一步改善电路设计的性能。
搜索关键词: 使用 填充 操作 实现 集成电路设计
【主权项】:
一种用于操作电路设计计算设备的方法,其包括:借助所述电路设计计算设备,接收包括耦合在第一电路设计元件与第二电路设计元件之间的寄存器的电路设计描述;借助所述电路设计计算设备,执行去填充操作,所述去填充操作防止布线操作将所述寄存器连接到所述第一电路设计元件和所述第二电路设计元件;以及借助所述电路设计计算设备,执行所述布线操作,所述布线操作在不穿过所述寄存器的情况下将所述第一电路设计元件连接到所述第二电路设计元件。
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