[发明专利]非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器在审
| 申请号： | 201610272268.X | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107332105A | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 郑俊守;孙雨舟;王祥忠 | 申请（专利权）人： | 苏州旭创科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/30 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请揭示了一种非对称结构相移光栅及DFB半导体激光器，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，第一光栅和第二光栅的刻蚀深度不同。本申请基于非对称结构相移光栅的DFB半导体激光器，在相移结构两侧的光栅长度、光栅周期不变、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1的条件下，通过对相移结构两侧光栅刻蚀深度的控制，实现两侧相移光栅耦合系数的不对称，DFB半导体激光器能够实现输出光功率的不对称，增大了激光器的有效输出光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 结构 相移 光栅 dfb 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种非对称结构相移光栅，其特征在于，所述相移光栅包括位于相移光栅中心位置的相移结构及位于相移结构两侧的第一光栅和第二光栅，所述第一光栅和第二光栅的长度相同、光栅周期相等、且光栅占空比相等或光栅占空比之和等于1，第一光栅和第二光栅的刻蚀深度不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州旭创科技有限公司，未经苏州旭创科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610272268.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种建筑工程测绘专用的便携式折叠尺
- 下一篇：一种脉冲功率用磁延迟伪火花开关
