[发明专利]一种Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材及其制备方法

摘要

本发明提供了一种Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材，由以下原子百分比的成分组成Si 6％～18％，B 7％～19％，Hf 5％～15％，Al 6％～14％，余量为Mo和不可避免的杂质。本发明还提供了一种制备该合金棒材的方法，包括以下步骤一、采用湿法球磨的方法将硅粉、硼粉、铪粉、铝粉和钼粉混合均匀，真空干燥后得到混合粉末；二、烧结，得到烧结体；三、真空自耗电弧熔炼，得到铸锭；四、热挤压，得到半成品棒坯；五、热挤压，得到Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材。本发明Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材具有氧含量低、强度高、抗氧化和良好的室温断裂韧性等特点，能够在高温氧化气氛中应用。

主权项

一种Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材，其特征在于，由以下原子百分比的成分组成：Si 6％～18％，B 7％～19％，Hf 5％～15％，Al 6％～14％，余量为Mo和不可避免的杂质；该Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材的制备方法包括以下步骤：步骤一、采用湿法球磨的方法将钼粉、硅粉、硼粉、铪粉和铝粉混合均匀，真空干燥后得到混合粉末；步骤二、将步骤一中所述混合粉末压制成型，得到坯料，然后将所述坯料置于烧结炉中，在真空度不大于1×10‑1Pa，温度为1700℃～1800℃的条件下保温2h～3h进行烧结处理，随炉冷却后得到烧结体；步骤三、将步骤二中所述烧结体置于真空自耗电弧炉中，在真空度不大于5×10‑2Pa的条件下真空自耗电弧熔炼3～5次，随炉冷却后进行扒皮处理，得到铸锭；所述真空电弧熔炼的电流为10kA～12kA，所述真空电弧熔炼的电压为20V～40V；步骤四、将步骤三中所述铸锭在挤压温度为1300℃～1500℃，挤压比为6～8的条件下进行挤压，自然冷却后进行扒皮处理，得到半成品棒坯；步骤五、将步骤四中所述半成品棒坯在挤压温度为1200℃～1400℃，挤压比为4～7的条件下进行挤压，自然冷却后进行扒皮处理，得到Mo‑Si‑B‑Hf‑Al合金棒材。