[发明专利]一体型薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201610273600.4 | 申请日： | 2016-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN106084598A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 高本尚英;木村龙一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C08L33/00 | 分类号： | C08L33/00;C08L63/00;C08L61/06;C08K3/36;C08J5/18;C09J7/02;C09J7/04;B32B25/12;B32B27/30;B32B27/34;B32B27/28;B32B27/36;B32B27/38 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种一体型薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。本发明的目的在于，提供在将一体型薄膜与半导体晶片进行粘贴后能够检测半导体晶片的缺口的一体型薄膜等。第一本发明涉及一体型薄膜等。一体型薄膜包括：包含基材和配置在基材上的粘合剂层的切割带；以及，配置在粘合剂层上且用于保护半导体元件背面的背面保护薄膜。第一本发明中，背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上。第二本发明涉及波长555nm的总透光率为3％以上的一体型薄膜等。 | ||
| 搜索关键词： | 体型 薄膜 半导体 装置 制造 方法 保护 芯片 | ||
【主权项】：
一种一体型薄膜，其包括：包含基材和配置在所述基材上的粘合剂层的切割带；以及配置在所述粘合剂层上且用于保护半导体元件的背面的背面保护薄膜，所述背面保护薄膜的波长555nm的总透光率为3％以上。
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