[发明专利]一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法

摘要

本发明公开一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，一，在衬底表面生长至少一层U/N‑GaN单晶薄膜，在U/N‑GaN单晶薄膜中生成穿透位错；二，在U/N‑GaN单晶薄膜上生长应力释放层，并在应力释放层中形成V型凹槽；三，在具有V型凹槽的应力释放层上生长多量子阱有源层；四，在有源层上生长P‑AlGaN层；五，在N₂/H₂/NH₃混合气体中退火烤掉部分或全部V型凹槽斜面上的多量子阱有源层；六，生长一层U‑GaN覆盖V型凹槽斜面并延伸至P‑AlGaN层表面；七，生长P‑GaN将V型凹槽填平并覆盖在延伸至P‑AlGaN层表面的U‑GaN上。本发明可以增加空穴的有效注入，提高发光二极管的发光效率。

主权项

一种增强注入型的发光二极管的外延结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：一，在衬底表面生长至少一层U/N‑GaN单晶薄膜，在U/N‑GaN单晶薄膜中生成纵向穿透位错；二，在U/N‑GaN单晶薄膜上生长应力释放层，并在应力释放层中形成V型凹槽，V型凹槽位于穿透位错正上方，由穿透位错二维生长面扩大开口形成；三，在具有V型凹槽的应力释放层上生长多量子阱有源层，并在有源层上延伸保持V型凹槽形状，且在水平生长面上持续扩大V型凹槽的面积；四，在有源层上生长P‑AlGaN层，并在P‑AlGaN层上延伸保持V型凹槽；五，在N₂/H₂/NH₃混合气体氛围中退火烤掉部分或全部V型凹槽斜面上的多量子阱有源层；六，生长一层U‑GaN覆盖层在V型凹槽斜面并延伸至P‑AlGaN层表面；七，生长P‑GaN将V型凹槽填平并覆盖在延伸至P‑AlGaN层表面的U‑GaN上。