[发明专利]一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法有效
申请号: | 201610274316.9 | 申请日: | 2016-04-28 |
公开(公告)号: | CN105957706B | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 包小倩;卢克超;高学绪;李纪恒 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/057 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法,属于稀土永磁材料领域。具体工艺步骤为先将钕铁硼取向压坯真空预烧结得到部分致密的预烧坯;再将Dy/Tb盐溶于有机溶剂中,通过压力浸渗方式,将Dy/Tb盐有机溶液在钕铁硼预烧坯内部“过滤”;Dy3+/Tb3+部分留在预烧坯孔隙内部,经过进一步烧结致密化并发生Dy3+/Tb3+晶界扩散,从而提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力。该发明的优点是磁体不受尺寸和形状限制;大大缩短了Dy3+/Tb3+的扩散路径和扩散时间;磁体内部组织结构改善和性能提高的一致性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 压力 dy sup tb 制备 性能 钕铁硼 磁体 方法 | ||
【主权项】:
一种压力浸渗Dy3+/Tb3+制备高性能钕铁硼磁体的方法,其特征在于用压力浸渗的方式将Dy/Tb盐的有机溶液在部分致密的钕铁硼预烧坯内“过滤”,部分Dy3+/Tb3+留在预烧坯孔隙内,随后经过烧结致密化并发生Dy3+/Tb3+晶界扩散,从而提高烧结钕铁硼的矫顽力;具体工艺步骤如下:1)对钕铁硼取向压坯真空预烧结,得到部分致密、即有一定孔隙率的预烧坯,并对表面清洁处理;2)将Dy/Tb盐溶于有机溶剂中,得到具有一定浓度的Dy3+/Tb3+有机溶液;3)钕铁硼预烧坯置于浸渗罐内,先抽真空,利用罐内负压吸入Dy3+/Tb3+有机溶液,然后施加0.5-2.0MPa的气体压力,使有机溶液向钕铁硼预烧坯内深处渗透,通过真空压力浸渗的方式将Dy3+/Tb3+有机溶液浸渗到预烧坯内部孔隙;4)经过Dy3+/Tb3+有机溶液浸渗过的预烧坯进一步烧结致密化并发生Dy3+/Tb3+晶界扩散;5)真空回火热处理得到高矫顽力烧结钕铁硼磁体。
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