[发明专利]一种量子点超辐射发光二极管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种量子点超辐射发光二极管的制作方法，该方法包括以下步骤一次外延生长步骤采用MBE生长一次外延结构，其结构沿晶向依次包括N+‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)、P‑AlGaAs覆盖层(7)、P‑GaAs保护层(8)；形成脊形状的步骤；生长掩埋异质结的步骤；蒸发N、P型电极的步骤；镀膜步骤。本发明还提出了一种量子点超辐射发光二极管。本发明提出的超辐射发光二极管芯片具有高功率、宽光谱输出、低抖动的优点。

主权项

一种量子点超辐射发光二极管的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：一次外延生长步骤：采用MBE生长一次外延结构，其结构沿晶向依次包括N+‑GaAs衬底层(1)、N‑GaAs缓冲层(2)、N‑AlGaAs覆盖层(3)、AlGaAs下限制层(4)、含多层InAs量子点的有源区(5)、AlGaAs上限制层(6)、P‑AlGaAs覆盖层(7)、P‑GaAs保护层(8)；其中有源区(5)包括第一未掺杂GaAs层、多层InAs量子点和第二未掺杂GaAs层，每层InAs量子点包括InAs量子点(9)、InGaAs覆盖层(10)和GaAs覆盖层(11)；形成脊形状的步骤：去除所述一次外延结构中的P‑GaAs保护层(8)后，沉积介质膜、光刻、刻蚀介质膜、腐蚀形成脊结构；其中，所述脊结构包括直波导区域(16)和锥形波导区域(15)，锥形波导区域(15)与直波导区域(16)相连，锥形波导区域(15)靠近出光端面(17)，直波导区域(16)靠近背光端面(18)；生长掩埋异质结的步骤：采用MOCVD外延生长对形成脊结构的片子进行掩埋生长，形成掩埋异质结结构；蒸发N、P型电极的步骤：对片子进行沉积钝化层、光刻、刻蚀钝化层、沉积P面金属、减薄、沉积N面金属、合金，形成芯片；镀膜步骤：对片子沿晶向解离成巴条，对巴条出光、背光端面进行蒸镀光学膜。