[发明专利]自发光型显示装置及其制作方法

摘要

本发明提供一种自发光型显示装置及其制作方法，该显示装置包括了蓝光OLED、红光QLED、和绿光QLED，且蓝光OLED、红光QLED、和绿光QLED包括共同的蓝光发光层，即蓝光发光层位于所有的子像素区域上，而红光QLED和绿光QLED的发光层分别对应的位于红色和绿色子像素区域上，因此，蓝光发光层可通过采用蒸镀成膜工艺制作，从而克服采用湿法成膜工艺制作蓝光OLED引起的发光效率低和寿命短的问题，而红光和绿光发光层可通过湿法成膜工艺制作，从而克服采用蒸镀成膜工艺制作红光QLED和绿光QLED引起的材料利用率低和生产成本高的问题，能够在不影响自发光型显示装置发光效率和寿命的前提下，降低生产成本，提升产品竞争力。

主权项

一种自发光型显示装置，其特征在于，包括：基板(10)、位于所述基板(10)上的蓝光OLED(30)、绿光QLED(40)、和红光QLED(50)、位于所述蓝光OLED(30)、绿光QLED(40)、和红光QLED(50)上的封装胶材(90)、及位于所述封装胶材(90)上方覆盖所述基板(10)的盖板(100)；所述基板(10)上具有数个阵列排布的蓝色子像素区域、绿色子像素区域、及红色子像素区域；所述蓝光OLED(30)包括形成于所述蓝色子像素区域上的第一阳极(31)、形成于所述第一阳极(31)上的蓝光空穴注入层(32)、及形成于所述蓝光空穴注入层(32)上的蓝光空穴传输层(33)；所述绿光QLED(40)包括形成于所述绿色子像素区域上的第二阳极(41)、形成于所述第二阳极(41)上的绿光空穴注入层(42)、形成于所述绿光空穴注入层(42)上的绿光空穴传输层(43)、及形成于所述绿光空穴传输层(43)上的绿光发光层(44)；所述红光QLED(50)包括形成于所述红色子像素区域上的第三阳极(51)、形成于所述第三阳极(51)上的红光空穴注入层(52)、形成于所述红光空穴注入层(52)上的红光空穴传输层(53)、及形成于所述红光空穴传输层(53)上的红光发光层(54)；所述蓝光OLED(30)、绿光QLED(40)、及红光QLED(50)还共同包括形成于所述蓝光空穴传输层(33)、绿光发光层(44)、及红光发光层(54)上的蓝光共同层(34)、形成于所述蓝光共同层(34)上的蓝光发光层(35)、形成于所述蓝光发光层(35)上的电子传输层(60)、形成于所述电子传输层(60)上的电子注入层(70)、及形成于所述电子注入层(70)上的阴极(80)；所述蓝光共同层(34)用于将空穴从蓝光空穴传输层(33)传输到蓝光发光层(35)和将电子传输到绿光发光层(44)和红光发光层(54)；所述绿光发光层(44)和红光发光层(54)均为QLED发光层，所述蓝光发光层(35)为OLED发光层；所述蓝光发光层(35)的膜厚为5nm至50nm；所述绿光发光层(44)和红光发光层(54)的膜厚均为1nm至100nm。