[发明专利]一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及其制备方法

摘要

一种抗PID的晶体硅太阳电池组件及制备方法，包括从下向上依次设置的低铁压花钢玻璃、第一封装胶膜、整个电池片、第二封装胶膜和背板，所述的电池片周围设置一圈导电保护环，其中，所述整个电池片为若干电池片互相串联而成。当有太阳光时，各子串会输出直流高压，该直流高压的正极和导电保护环相连接，这样该导电保护环相对于各组件的铝边框是正电压，形成的电场由保护环指向玻璃外面，这样从根本上预防了玻璃中的金属离子向电池片表面迁移，从而从根本上解决了晶体硅光伏组件存在的PID衰减，该方法简单易行，成本低、效果好。本发明从根本上消除了晶体硅太阳电池组件的PID衰减，克服了现有方法的局限性和危险性。

主权项

一种抗PID的晶体硅太阳电池组件，其特征在于，包括从下向上依次设置的低铁压花钢化玻璃(6)、第一封装胶膜(7)、全部电池片(2)、第二封装胶膜(8)和背板(9)，所述的电池片(2)周围设置一圈导电保护环(1)，其中，所述全部电池片为若干电池片互相串联而成；在光伏电站中，一个子串由多个组件正负极串联而成，将各组件的导电保护环互相连接，再和子串的输出正极相连。