[发明专利]沟槽型肖特基二极管的制备方法

摘要

本发明提供一种沟槽型肖特基二极管的制备方法，包括对表面依次设置了氧化硅层、氮化硅层的半导体硅基底进行光刻和刻蚀，以形成刻蚀窗口；通过刻蚀窗口，对半导体硅基底的N型外延层进行刻蚀，形成硅沟槽；去除氮化硅层，在整个器件的表面上形成栅极氧化层；在整个器件的表面上沉积第一多晶硅层，对第一多晶硅层进行刻蚀，在硅沟槽中形成第二多晶硅层；在整个器件的表面上依次形成介质层和金属层。沟槽型肖特基二极管的相邻硅沟槽之间N型外延层与金属层之间接触较好，使得相邻硅沟槽之间N型外延层与金属层之间形成的肖特基势垒接触良好，肖特基势垒较好，可以减小沟槽型肖特基二极管的反向漏电，进而提高沟槽型肖特基二极管的性能。

主权项

一种沟槽型肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：对表面依次设置了氧化硅层、氮化硅层的半导体硅基底进行光刻和刻蚀，以形成刻蚀窗口，所述半导体硅基底包括由下而上依次设置的N型衬底和N型外延层；通过所述刻蚀窗口，对所述N型外延层进行刻蚀，以形成硅沟槽；去除所述氮化硅层，并在整个器件的表面上形成预设厚度的栅极氧化层；在整个器件的表面上沉积第一多晶硅层，对所述第一多晶硅层进行刻蚀，以在所述硅沟槽中形成第二多晶硅层；在整个器件的表面上依次形成介质层和金属层，以形成沟槽型肖特基二极管。