[发明专利]一种塞替派分子印迹电化学传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种塞替派分子印迹电化学传感器制备方法，其特征在于,首先采用硅烷偶联剂、纳米金修饰玻碳电极；然后在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，水66~74%，丙烯酸‑1，2，3‑三羧酸6~14%，马来酸酐6~14%，二亚乙基三胺3~8%，过流酸钾2.0~4.0%，塞替派1.0~3.0%，即得塞替派分子印迹聚合物溶胶；再将塞替派分子印迹聚合物溶胶滴涂到修饰电极上，去除模板分子，即得塞替派分子印迹电化学传感器。该传感器对塞替派具有较高的识别性能，传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用，分子印迹传感器对塞替派的响应大大提高。

主权项

一种塞替派分子印迹电化学传感器制备方法，其特征在于,该方法具有以下工艺步骤：(1)玻碳电极预处理：将玻碳电极0.01～0.05μm的Al2O3粉末进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，再用无水乙醇洗涤数次，用氮气吹干，将电极浸泡在含质量百分浓度为25～30％的乙烯基三乙氧基硅烷的无水乙醇溶液中，温度升至55±2℃浸泡150～180min，取出后，用无水乙醇洗涤数次，在放入9mol/L硫酸中浸泡20min，取出后，用水洗涤干燥，得到预处理玻碳电极；(2)纳米金修饰玻碳电极的制备：将预处理玻碳电极放入0.30mol/L氯金酸水溶液中，室温下浸泡3～5h，取出后用高纯水洗涤，再放入质量百分浓度为15～20％的柠檬酸钠溶液中浸泡5h，取出后用高纯水洗涤，自然干燥，即得纳米金修饰玻碳电极；(3)塞替派分子印迹聚合物的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，高纯水：66～74％，丙烯酸‑1，2，3‑三羧酸：6～14％，马来酸酐：6～14％，二亚乙基三胺：3～8％，过硫酸钾：2.0～4.0％，塞替派：1.0～3.0％，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通惰性气体除氧10min，惰性气体氛围，温度升至60±2℃搅拌反应4～6h，即得塞替派分子印迹聚合物溶胶；(4)塞替派分子印迹电化学传感器的制备方法：取塞替派分子印迹聚合物溶胶12～15μL滴加到纳米金修饰玻碳电极上，置于红外灯下，挥发干溶剂后，将其用甲醇与醋酸的体积比为10～12：1的混合溶液浸泡4～6h，除去电极上的模板分子，用高纯水洗涤，干燥，即得塞替派分子印迹电化学传感器。