[发明专利]半导体元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201610292063.8 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346739A | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张竞予;傅思逸;洪裕祥;许智凯;程伟麒;郑志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中半导体元件包含一基底，一栅极结构设于基底上，以及一间隙壁设于栅极结构旁，其中间隙壁延伸至栅极结构上表面，间隙壁上表面包含一平坦表面，间隙壁包围住一气孔且间隙壁由单一材料所构成。栅极结构较佳包含一高介电常数介电层、一功函数金属层以及一低阻抗金属层，其中高介电常数介电层为U型。此外半导体元件另包含一层间介电层环绕栅极结构以及一硬掩模设于间隙壁上，其中硬掩模上表面切齐层间介电层上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一栅极结构于该基底上；以及形成一第一间隙壁于该栅极结构旁，该第一间隙壁包围住一气孔且该第一间隙壁由单一材料所构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
