[发明专利]测试结构及其形成方法以及测试方法有效
| 申请号： | 201610292139.7 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107346751B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 吴湘君;谢涛;虞勤琴;李明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试结构及其形成方法以及测试方法，其中测试结构包括：基底、以及位于基底表面的第一导电层；位于所述第一导电层上方的第二导电层，所述第二导电层包括相互电绝缘的第一子导电层以及第二子导电层，其中，所述第一子导电层包括若干分立的第一金属层，所述第二子导电层通过第一导电插塞与第一导电层相连；位于第二导电层上方的第三导电层，第三导电层为梳状结构，包括第一梳柄部以及与第一梳柄部相连的分立的第一梳齿部，其中，分立的第一梳齿部通过第二导电插塞与分立的第一金属层相连；第一测试垫，第一测试垫与第一梳柄部相连；第二测试垫，第二测试垫与第一导电层或第二子导电层相连。本发明提高了测试结构中定位桥连缺陷的正确率。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 及其 形成 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种测试结构，其特征在于，包括：基底、以及位于基底表面的第一导电层；位于所述第一导电层上方的第二导电层，所述第二导电层包括相互电绝缘的第一子导电层以及第二子导电层，其中，所述第一子导电层包括若干分立的第一金属层，所述第二子导电层通过第一导电插塞与第一导电层相连；位于所述第二导电层上方的第三导电层，所述第三导电层为梳状结构，包括第一梳柄部以及与所述第一梳柄部相连的分立的第一梳齿部，其中，所述分立的第一梳齿部通过第二导电插塞与所述分立的第一金属层相连；第一测试垫，所述第一测试垫与所述第一梳柄部相连；第二测试垫，所述第二测试垫与所述第一导电层或第二子导电层相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
