[发明专利]鳍式场效应管及其形成方法有效
申请号: | 201610293057.4 | 申请日: | 2016-05-05 |
公开(公告)号: | CN107346740B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 李勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种鳍式场效应管及其形成方法,鳍式场效应管的形成方法包括:在鳍部的顶部和侧壁表面形成第一氧化层;去除所述第一区域的第一氧化层,暴露出第一区域的鳍部表面;在所述第一区域的鳍部表面形成第二氧化层;在所述第一氧化层上以及第二氧化层上形成刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡上形成隔离层,所述隔离层填充满相邻鳍部之间的区域;回刻蚀去除部分厚度的隔离层形成隔离结构,所述隔离结构顶部低于鳍部顶部;去除高于所述隔离结构顶部的刻蚀阻挡层,暴露出所述第二氧化层。本发明避免隔离结构损失的问题,并且还避免了有效鳍部底部宽度尺寸变大的问题,从而显著的改善了短沟道效应问题,提高了形成的鳍式场效应管的性能。 | ||
搜索关键词: | 场效应 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底以及位于衬底表面的分立的鳍部,所述衬底包括第一区域和第二区域;在所述鳍部的顶部和侧壁表面形成第一氧化层;去除所述第一区域的第一氧化层,暴露出第一区域的鳍部表面;在所述第一区域的鳍部表面形成第二氧化层,所述第二氧化层的厚度小于第一氧化层的厚度;在所述第一氧化层表面以及第二氧化层表面形成刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡表面形成隔离层,所述隔离层填充满相邻鳍部之间的区域,其中,所述刻蚀阻挡层的材料与所述隔离层的材料不同;回刻蚀去除部分厚度的隔离层形成隔离结构,所述隔离结构顶部低于鳍部顶部;去除高于所述隔离结构顶部的刻蚀阻挡层,暴露出高于隔离结构顶部的第二氧化层表面以及第一氧化层表面;在所述暴露出的第二氧化层表面形成第一栅极,所述第一栅极横跨第一区域的鳍部;在所述暴露出的第一氧化层表面形成第二栅极,所述第二栅极横跨第二区域的鳍部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造