[发明专利]基于纳米软压印的大面积高度有序多孔氧化膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610293310.6 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN105926014B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李东栋;许贞;李温超;张驰;陈小源;鲁林峰;殷敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于纳米软压印的大面积高度有序多孔氧化膜的制备方法，所述制备方法至少包括：首先，将母模板的微纳米尺寸有序结构复制到硅胶软模板上，同时提供金属基底，并对所述金属基底进行预处理；然后在所述金属基底表面涂覆紫外固化胶，利用所述硅胶软模板对所述紫外固化胶进行纳米压印处理，脱除所述硅胶软模板后，所述紫外固化胶上形成有微纳米尺寸有序结构；接着以紫外固化胶为掩膜版，采用刻蚀工艺将所述微纳米尺寸有序结构转移至所述金属基底上，去除剩余的紫外固化胶；再采用阳极氧化法在所述金属基底表面制备形成多孔氧化膜。本发明的制备方法可制备大面积HOAAO、HOATO等氧化膜，该方法高效便捷、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 压印 大面积 高度 有序 多孔 氧化 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米软压印的大面积高度有序多孔氧化膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：提供具有微纳米尺寸有序结构的母模板，将所述微纳米尺寸有序结构复制到硅胶软模板上，获得具有微纳米尺寸有序结构的硅胶软模板；提供金属基底，对所述金属基底进行预处理，所述金属基底是柔性金属箔；在所述金属基底表面涂覆紫外固化胶，利用所述具有微纳米尺寸有序结构的硅胶软模板对所述紫外固化胶进行纳米压印处理，脱除所述硅胶软模板后，所述紫外固化胶上形成有微纳米尺寸有序结构，所述进行纳米压印处理的方式为辊对板紫外压印或者辊对辊紫外压印，所述紫外压印的压力范围是0.1‑0.8MPa，紫外光辐照功率为10‑100mW/cm2，辐照时间为10‑600s，其中，在涂覆紫外固化胶和进行纳米压印处理之间，还包括对所述紫外固化胶进行热烘焙处理的步骤，热烘焙温度为30～100℃，热烘焙时间为10s～5min；以形成有微纳米尺寸有序结构的紫外固化胶为掩膜版，采用刻蚀工艺将所述微纳米尺寸有序结构转移至所述金属基底上，去除剩余的紫外固化胶；采用阳极氧化法在所述金属基底表面制备形成多孔氧化膜。
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