[发明专利]基于内向S型导线的多层结构像元及图像传感器有效
申请号: | 201610294315.0 | 申请日: | 2016-05-03 |
公开(公告)号: | CN105720068B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 赵照 | 申请(专利权)人: | 合肥芯福传感器技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及图像传感器技术领域,具体涉及基于内向S型导线的多层结构像元、像元阵列及图像传感器;其中,多层结构像元,包括衬底、微桥,微桥包括用于支撑微桥的第一层桥墩、设置桥墩上的桥面、以及第二层桥墩,双层桥墩之间采用S型布线;桥面表面上有一感光层,用以吸收电磁波,感光层上表面包括一绝缘层,感光层表面上设有若干中空立体结构;本发明通过若干表面涂覆有石墨烯等新型材料的中空立体结构以及S型导线设计,不仅减少了信号在传输过程中的失真,而且在空间保持不变的情况下,增加了接收面积,提高了接收灵敏度,相对于常规像元来说,有效提升30%以上;而且本发明工艺简单,适用于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 基于 内向 导线 多层 结构 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.基于内向S型导线的多层结构像元,包括用于读出电路的衬底(1)、与读出电路电连接的微桥(2),微桥(2)能够将电磁波辐射信号转换成电信号,微桥(2)包括用于支撑微桥的第一层桥墩(201)、设置在第一层桥墩上的桥面(202),其特征在于:所述微桥(2)还包括第二层桥墩(204),所述第一层桥墩(201)和第二层桥墩(204)之间采用“S”型布线(203);所述桥面(202)表面有一感光层(4),用以吸收电磁波,感光层(4)上表面包括一层绝缘层,感光层表面上设有若干中空立体结构(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥芯福传感器技术有限公司,未经合肥芯福传感器技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610294315.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:弯曲屏制成方法及玻璃基板剥离方法
- 下一篇:双薄膜晶体管及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的