[发明专利]互补金属氧化物半导体影像感测器及形成方法

摘要

本发明公开一种互补金属氧化物半导体影像感测器及形成方法。该互补金属氧化物半导体影像感测器包含第二型的注入区，形成于第一型的晶体层内。传输栅的通道整个覆盖注入区，该注入区的部分结合光二极管、掺杂阱区及浮动扩散节点。

主权项

1.一种互补金属氧化物半导体影像感测器，包含：基底；第一型的晶体层，形成于该基底上；光二极管，形成于该晶体层内；至少一个第一型的掺杂阱区，形成于该晶体层内；传输栅，形成于该晶体层的顶面，该传输栅部分覆盖该光二极管的边缘及该掺杂阱区的边缘；浮动扩散节点，位于该掺杂阱区内；及第二型的注入区，形成于该晶体层内，该注入区的部分结合该光二极管、该掺杂阱区及该浮动扩散节点，且该注入区被该传输栅的通道整个覆盖，其中该注入区的一部分具楔形，其宽度随远离该光二极管而逐渐改变。