[发明专利]N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管及制作方法

摘要

本发明公开了一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管。主要解决现有小尺寸高电子迁移率晶体管栅控能力差及源、漏电阻大的问题。其自下而上包括衬底、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、栅介质层、钝化层和源、漏、栅电极。其中缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，并且第一层AlGaN材料的Al组分逐渐变化；GaN沟道层和AlGaN势垒层组成GaN/AlGaN异质结；源、漏电极分别位于势垒层和沟道层的左、右两端；栅电极覆盖在鳍型GaN/AlGaN异质结的两侧和上方。本发明器件具有源、漏电阻小、栅泄漏电流小和栅控能力好的优点，可用作小尺寸高速低功耗器件。

主权项

1.一种N面GaN基鳍式高电子迁移率晶体管，自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)、GaN沟道层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和栅、源、漏电极，GaN沟道层和AlGaN势垒层形成GaN/AlGaN异质结，GaN/AlGaN异质结生成二维电子气，其特征在于：GaN缓冲层和沟道层采用N面GaN材料；源、漏电极设在GaN/AlGaN异质结的两端，以实现与二维电子气的直接接触，减小源、漏电阻；AlGaN势垒层包括两层AlGaN，从下到上的第一层是厚度为20nm，Al组分从5％渐变到30％的AlGaN，第二层是厚度为5～10nm，Al组分为30％的AlGaN。