[发明专利]瞬变电压抑制二极管的制备方法和瞬变电压抑制二极管有效
| 申请号： | 201610299229.9 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN107346791B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 李理;赵圣哲;马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/866;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种瞬变电压抑制二极管的制备方法和瞬变电压抑制二极管，上述制备方法包括：在N型衬底上形成P型外延层，以完成光电二极管的制备；在所述P型外延层上形成隔离槽，以每个所述隔离槽划分所述光电二极管为两个光电二极管单元；在所述光电二极管单元的P型外延层中，依次形成P型注入区域和N型注入区域，以形成与每个所述光电二极管串联连接的齐纳二极管；在形成所述齐纳二极管的N型衬底上，形成正面金属电极和背面金属电极。通过本发明的技术方案，改善了半导体器件的反向特性，降低了电压浪涌对集成电路的影响程度，减小了附加电容，同时提高了半导体器件的集成化和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 抑制 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种瞬变电压抑制二极管的制备方法，其特征在于，包括：在N型衬底上形成P型外延层，以完成光电二极管的制备；在所述P型外延层上形成隔离槽，以每个所述隔离槽划分所述光电二极管为两个光电二极管单元；在所述光电二极管单元的P型外延层中，依次形成P型注入区域和N型注入区域，以形成与每个所述光电二极管串联连接的齐纳二极管；在形成所述齐纳二极管的N型衬底上，形成正面金属电极和背面金属电极。
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