[发明专利]一种二甲基二氯硅烷的提纯工艺及系统有效

专利信息
申请号: 201610301102.6 申请日: 2016-05-06
公开(公告)号: CN105906659B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 曹华俊;方红承;谭军;彭金鑫;聂长虹;贾勇;赵晓辉;欧阳玉霞 申请(专利权)人: 合盛硅业股份有限公司
主分类号: C07F7/12 分类号: C07F7/12;C07F7/20
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 314201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种二甲基二氯硅烷的提纯工艺及系统,属于有机硅生产技术领域。提纯工艺包括以下步骤:(1)将二甲基二氯硅烷粗品通过脱低塔,除去低沸物,获得第一中间产物;(2)将第一中间产物通入脱高下塔中,塔顶气相与氯化氢气体混合后通入固定床反应器,在催化剂作用下,将粗品中的含氢硅烷转变为相应的氯硅烷,获得第二中间产物;(3)第二中间产物通过脱高上塔,除去所述的氯硅烷,获得产物。提纯系统包括脱低塔、脱高下塔、固定床反应器和脱高上塔。利用本发明的技术方案,可以让二甲基二氯硅烷的纯度达到99.98%以上,杂质的去除率达到99.9%以上。
搜索关键词: 一种 甲基 硅烷 提纯 工艺 系统
【主权项】:
1.一种二甲基二氯硅烷的提纯工艺,包括以下步骤:(1)将二甲基二氯硅烷粗品通过脱低塔,除去低沸物,获得第一中间产物;(2)将第一中间产物通入脱高下塔中,塔顶气相与氯化氢气体混合后通入固定床反应器,在催化剂作用下,将粗品中的含氢硅烷转变为相应的氯硅烷,获得第二中间产物;(3)将第二中间产物通过脱高上塔,除去所述的氯硅烷,获得产物;所述催化剂为碳负载钯;所述二甲基二氯硅烷粗品与氯化氢的质量比为200~500:1;所述固定床反应器的空速比为7t/m3·h,反应温度为90℃;所述产物全部或部分返回与第一中间产物通入脱高下塔;所述提纯工艺通过二甲基二氯硅烷的提纯系统实现,所述提纯系统,包括:脱低塔,底端出料口连通脱高下塔的进料口,用于除去二甲基二氯硅烷粗品中的低沸物;脱高下塔,顶端出料口连通固定床反应器的进料口,用于除去二甲基二氯硅烷粗品中的高沸物;固定床反应器,出料口连接脱高上塔的进料口,用于与氯化氢反应,将二甲基二氯硅烷粗品中残余的含氢硅烷转化成相应的氯硅烷;脱高上塔,用于除去所述的氯硅烷;所述脱高上塔的顶端出料口连接脱高下塔的进料口。
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