[发明专利]用于在等离子体处理系统中控制等离子体的方法和装置有效
申请号: | 201610301437.8 | 申请日: | 2013-06-24 |
公开(公告)号: | CN105914123B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 约翰·C·小瓦尔考;布拉德福德·J·林达克 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H05H1/46 |
代理公司: | 31263 上海胜康律师事务所 | 代理人: | 李献忠;张华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及用于在等离子体处理系统中控制等离子体的方法和装置,具体公开了用于在多频率等离子体处理室中处理衬底的方法和装置。基极RF信号在高功率电平和低功率电平之间施加脉冲。在基极RF信号施加脉冲时,非基极RF发生器中的每一个响应于控制信号前摄地(proactively)在第一预定义功率电平和第二预定义功率电平之间切换。替代地或另外地,在基极RF信号施加脉冲时,非基极RF发生器中的每一个响应于控制信号前摄地在第一预定义RF频率和第二预定义RF频率之间切换。本发明公开了用于在生产时间之前为非基极RF信号确定第一和第二预定义功率电平和/或第一和第二预定义RF频率的技术。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子体 处理 系统 控制 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于处理衬底的方法,包括:/n控制基极射频发生器以产生在第一基极功率电平和第二基极功率电平之间脉冲的基极射频信号;以及/n使非基极射频发生器与所述基极射频发生器同步以产生在第一预定的非基极功率电平和第二预定的非基极功率电平之间脉冲的非基极射频信号,/n其中为了将所述非基极射频信号的脉冲与所述基极射频信号的脉冲同步,所述非基极射频信号被脉冲以在实现第一基极功率电平的同时实现第一预定的非基极功率电平并且在实现第二基极功率电平的同时实现第二预定的非基极功率电平,/n其中所述基极射频发生器和所述非基极射频发生器都经由阻抗匹配电路耦合到等离子体室的同一个电极并且所述等离子体室的另一个电极耦合到地电位,其中所述另一个电极面向所述电极,并且所述衬底位于所述电极上方,/n其中在所述衬底的处理期间,实现所述第一预定的非基极功率电平和第二预定的非基极功率电平而不检测在所述衬底的处理期间等离子体阻抗的变化,/n其中所述第一预定的非基极功率电平和所述第二预定非基极功率电平中的每一个被配置为减小由所述基极射频信号的所述脉冲引起的等离子体阻抗的变化。/n
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