[发明专利]一种倒装发光二极管及其制作方法在审
申请号: | 201610301781.7 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN107359222A | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 杨杰;常文斌;林宇杰 | 申请(专利权)人: | 上海博恩世通光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/48;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/38 |
代理公司: | 上海光华专利事务所31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201108 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种倒装发光二极管及其制作方法,所述发光二极管包括生长衬底;发光外延结构,形成于所述生长衬底之上,所述发光外延结构中形成有N电极台阶;ITO层,形成于所述发光外延结构表面,所述ITO层中形成有图形孔洞结构;Ag反射层,形成所述ITO层及图形孔洞结构内,并同时与ITO层及发光外延结构接触;N焊盘及P焊盘。本发明在溅射或蒸镀的ITO层上腐蚀或刻蚀出规则或不规则图形以单一或组合形式存在,接着蒸镀或溅射Ag反射层使其分别与ITO层与氮化镓发光外延接触,使得部分光线不需要进入ITO层就可以被反射出去,提高了发光二极管的亮度。另外,Ag同时与氮化镓及ITO层接触,提高了导电率,从而提高了电流的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 倒装 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种倒装发光二极管的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括步骤:步骤1),提供一生长衬底,于所述生长衬底上形成发光外延结构,并刻蚀出N电极台阶;步骤2),于所述发光外延结构表面形成ITO层,并于所述ITO层中形成图形孔洞结构;步骤3),于所述ITO层及图形孔洞结构内制作Ag反射层,使得所述Ag反射层同时与ITO层及发光外延结构接触,所述Ag反射层中定义有P焊盘区域;步骤4),于所述N电极台阶制作N焊盘,于所述P焊盘区域制作P焊盘。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海博恩世通光电股份有限公司,未经上海博恩世通光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610301781.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:磷化铟扩散方法
- 下一篇:一种发光二极管及其制造方法