[发明专利]太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610302700.5 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN107359135A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 郭春妍;徐建星;彭红玲;倪海桥;汪韬;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L23/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构的制备方法，包括步骤(1)在一半绝缘衬底上依次制作缓冲层、阻挡层、n型GaAs层和GaAs低温层；(2)将所述GaAs低温层与一聚合物衬底键合；(3)剥离所述半绝缘衬底和缓冲层；(4)剥离所述阻挡层。还提供上述方法所制备的转移键合结构和包含该结构的片上集成器件。含上述结构的集成器件能降低太赫兹波损耗，提高利用效率，实现其对微量样品和液态样品检测。 | ||
| 搜索关键词： | 赫兹 天线 集成 器件 转移 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太赫兹天线片上集成器件的转移键合结构的制备方法，其特征在于包括步骤：(1)在一半绝缘衬底上依次制作缓冲层、阻挡层、n型GaAs层和GaAs低温层；(2)将所述GaAs低温层与一聚合物衬底键合；(3)剥离所述半绝缘衬底和缓冲层；(4)剥离所述阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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