[发明专利]二硒化钨纳米花的制备方法有效
申请号: | 201610305774.4 | 申请日: | 2016-05-10 |
公开(公告)号: | CN105967155B | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 陈远富;王新强;戚飞;郑斌杰;贺加瑞;周金浩;张万里 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | C01B19/04 | 分类号: | C01B19/04 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了二硒化钨纳米花的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括以下步骤将H2SeO3溶解于有机溶剂中混合均匀,边搅拌边加入Na2WO4·2H2O制得混合溶液;将所得混合溶液转移到反应釜中,在温度范围为180℃~240℃的条件下反应12小时~48小时;待反应釜的温度自然冷却至室温后,通过抽滤收集黑色产物,并分别用去离子水和乙醇对产物进行洗涤,将其真空干燥后得到二硒化钨纳米花。本发明首次提出了一种通过溶剂热法一步合成二硒化钨纳米花的方法;本发明具有工艺简单、原料易得、成本低、反应条件温和等优点。 | ||
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【主权项】:
二硒化钨纳米花的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将H2SeO3溶解于有机溶剂中混合均匀,边搅拌边加入Na2WO4·2H2O制得混合溶液;步骤2:将步骤1所得的混合溶液转移到反应釜中,在温度范围为180℃~240℃的条件下反应12小时~48小时;步骤3:待步骤2中反应釜的温度自然冷却至室温后,通过抽滤收集黑色产物,并分别用去离子水和乙醇对产物进行洗涤,真空干燥后得到二硒化钨纳米花。
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